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品牌聯(lián)眾儀器應(yīng)用領(lǐng)域電子

MATS-3000S聯(lián)眾軟磁材料測(cè)量?jī)x鐵氧

一、簡(jiǎn)介

ATS-101M硅鋼片鐵損測(cè)量?jī)x適用于硅鋼片、電機(jī)、變壓器等生產(chǎn)廠家對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)的管控,原料以及沖壓成形的單片均可檢測(cè)。儀器讀數(shù)直觀,操作簡(jiǎn)易,只需將測(cè)頭覆蓋測(cè)試樣片即可讀得Ps值(W/KG)。

產(chǎn)品特性:

1、探頭加入空氣磁通補(bǔ)償線圈,結(jié)果更準(zhǔn)確

2、磁通正弦,消除諧波影響; 不含銅損,鐵損測(cè)量真實(shí)

3、適合各種形狀和尺寸的單片測(cè)量

4、定 B(磁感)測(cè)量 Ps(鐵損)

5、三個(gè) Bm 測(cè)試點(diǎn)自由設(shè)定 6、手工繪制 Ps(B)損耗曲線

參照國(guó)標(biāo)GB/T13789-92中的測(cè)量方法設(shè)計(jì)而成,采用單片機(jī)控制技術(shù)和A/D、D/A相結(jié)合,內(nèi)置正弦波勵(lì)磁電源。各種厚度的冷軋取向、無(wú)取向和熱軋的硅鋼片等亦均可使用。

測(cè)試項(xiàng)目
測(cè)試樣品種類:可測(cè)試非晶/納米晶、硅鋼、坡莫合金和軟磁鐵氧體等軟磁材料;
測(cè)試樣品形狀:直接在樣品上繞制勵(lì)磁(N1)和感應(yīng)(N2)線圈測(cè)量環(huán)形、矩形、EE形、EI形和U形等閉路樣品;
采用愛(ài)潑斯坦方圈測(cè)量30mm?300mm硅鋼片的比總損耗Ps、磁極化強(qiáng)度Jm、磁場(chǎng)強(qiáng)度Hm、比視在功率Ss、振幅磁導(dǎo)率, 以及交流磁化曲線和損耗曲線;
可訂制非標(biāo)磁磁導(dǎo)計(jì)測(cè)量特定尺寸的硅鋼片在頻率為50Hz和60Hz下的比總損耗Ps、磁極化強(qiáng)度Jm、磁場(chǎng)強(qiáng)度Hm、比視在功率Ss、振幅磁導(dǎo)率, 以及交流磁化曲線和損耗曲線;
可定制鐵芯測(cè)試工裝測(cè)量特定尺寸的電機(jī)定子鐵芯和非晶卷繞鐵芯等軟磁樣品及磁性器件的比總損耗Ps、磁極化強(qiáng)度Jm、磁場(chǎng)強(qiáng)度Hm、比視在功率Ss、振幅磁導(dǎo)率, 以及交流磁化曲線和損耗曲線;

MATS-3000S聯(lián)眾軟磁材料測(cè)量?jī)x鐵氧技術(shù)參數(shù)

1、硬件參數(shù)

1.1、MATS-3000M硅鋼材料測(cè)量裝置

型號(hào)MATS-3010M/10kMATS-3010M/20k
輸出功率500VA正弦波500VA正弦波
頻率范圍45Hz~10kHz45Hz~20kHz
頻率細(xì)度1Hz1Hz
輸出電壓A型0~2V~10V~50V~150V 四檔自動(dòng)量程,用于環(huán)形試樣測(cè)試;
B型0~10V~50V~150V~300V四檔自動(dòng)量程,用于愛(ài)潑斯坦方圈樣品測(cè)試;
輸出電流0~10A0~10A
測(cè)量模式支持全頻段鎖定磁感和鎖定磁場(chǎng)測(cè)量
保護(hù)功能過(guò)熱、過(guò)流、過(guò)壓和參數(shù)保護(hù)

1.2、PC-6684數(shù)據(jù)采集卡

參數(shù)技術(shù)指標(biāo)
采樣速率40MHz×2通道
分辨率和線性度12Bit±1/2LSB
電壓量程±1V(滿量程)
采樣時(shí)標(biāo)25ns~800ns硬件時(shí)標(biāo)
內(nèi)存容量512kByte×2


系統(tǒng)參數(shù)
1.使用環(huán)境

參數(shù)技術(shù)指標(biāo)
輸入電源單相220V,50Hz
使用環(huán)境環(huán)境溫度:23±5℃;環(huán)境濕度:30~75%RH
外磁場(chǎng)干擾應(yīng)避免
熱平衡時(shí)間10分鐘

2、系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)

2.1、依據(jù)***GB/T 3655-2008,在50Hz、60Hz頻率下,使用25cm愛(ài)潑斯坦方圈測(cè)量30×300的硅鋼標(biāo)樣,技術(shù)指標(biāo)如下:

被測(cè)參數(shù)Ps(%)Hrms(%)Bm(%)Hm(%)
不確定度(k=2)1212
重復(fù)性(恒溫)± 0.5± 1± 0.5± 1
備注1.鎖B測(cè)試晶粒無(wú)取向硅鋼片Bm:1.5T;測(cè)試晶粒取向硅鋼片Bm:1.7T。
2.鎖H測(cè)試晶粒無(wú)取向硅鋼片Hm:1000A/m;測(cè)試晶粒取向硅鋼片Hm:500A/m。

2.2、依據(jù)***GB/T 3658-2008,在20Hz~2kHz頻率下,測(cè)量坡莫合金環(huán)形試樣,技術(shù)指標(biāo)如下:

被測(cè)參數(shù)Ps(%)μa(%)δ(%)Bm(%)Hm(%)
不確定度(k=2)32——11
重復(fù)性(恒溫)± 1.5± 1± 1± 0.5± 0.5
備注1.試樣應(yīng)為薄壁環(huán),外徑/內(nèi)徑≤1.25。
2.測(cè)試前應(yīng)先退磁,退磁場(chǎng)頻率≤測(cè)試頻率。
3.不確定度為“-",表示***中不要求。


2.3、依據(jù)***GB/T 19346.1-2017,測(cè)量非晶環(huán)形試樣,技術(shù)指標(biāo)如下:

被測(cè)參數(shù)Ps(%)μa(%)Ss(%)Bm(%)Hm(%)
不確定度(k=2)33311
重復(fù)性(恒溫)± 1.5± 1.5± 1.5± 0.5± 0.5
備注1.試樣應(yīng)為薄壁環(huán),外徑/內(nèi)徑≤1.25。
2.測(cè)試前應(yīng)先退磁,退磁場(chǎng)頻率≤測(cè)試頻率。
3.不確定度為“-",表示***中不要求。



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